一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法

一、成果基本信息

二、成果简介

    本发明公开了一种基于硅直通孔的三维集成系统热解析方法，它包括将三维集成系统分解成单个功率元胞，在该功率元胞中，考虑硅通孔横向热阻和纵向热阻的影响，建立分段热阻模型；根据基尔霍夫定律得出包含上下层芯片温度的矩阵方程；根据传热学中热阻表达方式，建立热阻R1~R8的表达式；将热阻R1~R8的表达式代入包含上下层芯片温度的矩阵方程中求解关于温度T的方程组，从而得到三维集成系统中各层芯片的温升情况；解决了现有技术对维集成系统的热解析采用一维热阻模型，它只考虑三维集成系统的纵向传热而没有考虑三维集成系统TSV的横向热阻问题，使得三维集成系统的热可靠性差等问题。

三、成果转化预期：

可为三维集成电路系统的设计和制造提供理论指导，帮助提高三维集成电路的质量和可靠性。

特别声明

1.本公告仅对成果进行推介，接受意向方咨询与洽谈，以上介绍中的内容仅供参考。

2.贵州阳光产权交易所通过自身网站及相关媒体发布的项目信息并不构成贵州阳光产权交易所对任何项目的任何交易建议。意向方应不依赖于已披露的上述信息并自行对项目的相关情况进行必要的尽职调查和充分了解。

项目联系人 ：赵经理  

联 系 电 话：15085914974