一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法

一、成果基本信息

二、成果简介

    本成果属于半导体集成电路和器件领域，具体是一种提升长期存储半导体硅片产品良率的工艺处理方法。半导体硅片作为半导体器件的载体，在完成半导体工艺后需要进行存储，由于存储温度、保护气体、存储时间、器件环境敏感性等不尽相同，半导体器件在存储一段时间后，电参数会出现不同程度的变化，甚至造成器件电参数不合格、良率下降，严重时造成整个硅片报废。

本成果创新性地提出了一种工艺处理方法，其特征在于：包括喷淋及浸泡、煮一号液、冲水、甩干、烘焙五个工艺步骤。

（1）所述工艺步骤喷淋及浸泡具体为使用带喷淋功能的清洗槽喷淋所述半导体硅片，直至半导体硅片被喷淋液体完全淹没，喷淋液体为去离子水；浸泡时间为5分钟。

（2）所述工艺步骤煮一号液具体为使用氨水（NH4OH）、双氧水（H2O2）、去离子水（H2O）的混合溶液清洗所述半导体硅片；一号液的配比为：NH4OH：H2O2：H2O=1：1：6；

（3）所述工艺步骤冲水具体为使用带喷淋功能的清洗槽清洗所述半导体硅片10次；

（4）所述工艺步骤甩干具体为使用甩干机甩干所述半导体硅片；

（5）所述工艺步骤烘焙具体为使用120℃高温烘箱烘培所述半导体硅片30分钟；

本成果具有成本低、实现简单的优点，可以有效解决半导体硅片因存储、运输过程产生的水汽、颗粒、应力等因素引起的良率降低问题，维持了合格半导体硅片的高良率，在半导体领域中具有广阔的应用前景。

三、成果转化预期：

通过知识产权转让，为企业提高集成电路芯片制造所需硅片的良率，保证集成电路芯片的质量可靠性提供技术支持，能为企业增加一定的经济效益。

特别声明

1.本公告仅对成果进行推介，接受意向方咨询与洽谈，以上介绍中的内容仅供参考。

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