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改进的缺陷地结构低通滤波器(预披露)

2024-09-27
项目名称:改进的缺陷地结构低通滤波器
项目编号:QYZS-XK-2024-00139
挂牌价格: --
挂牌时间:2024-09-27 至 2024-12-31

改进的缺陷地结构低通滤波器

 

一、成果基本信息

成果基本信息

成果名称

改进的缺陷地结构低通滤波器

成果所属单位

贵州大学

成果所属领域

先进制造与自动化

成果关键词

低通滤波器;小型化;

成果所属学科

其他电子器件制造

交易方式

面议

二、成果简介

低通滤波器能够抑制谐波信号和干扰信号,为通信统提供合适的工作带宽。传统的低通滤波器结构尺寸大,选择性差,而且带外抑制能力不强,很难抑制干扰信号和高次谐波信号。通过近年的研究,国际上提出了光子带隙结构(PBG,Photonic Bandgap)、阶跃阻抗的级联结构、可调的滤波器结构、以及电磁带隙结构(EBG,Electromagnetic Bandgap)等一系列新型结构来解决上述的这些问题。虽然这些结构对滤波器的通带带宽和带外阻抗抑制有一定的改善,但是,这些结构的设计和加工比较复杂,在工程上的推广和应用难度较大。本发明优化了底部的缺陷地结构,改变可衬底材料的有效介电常数分布,进而影响接地板的电流分布和微带传输线的传输特性。发明的这种缺陷地结构通过提高低通滤波器的高阻抗频率宽度和带外抑制强度,来改善低通滤波器的低通滤波特性。而且,这种缺陷地结构,结构比较简单,便于电磁场理论分析和等效电路建模分析,更适合集成电路实际应用的优点。,发明的滤波器通带宽度为0GHz~1.4GHz。缺陷地结构滤波器的带外抑制频率宽度达2.1GHz~11GHz,阻带范围内带外抑制能力大于15dB,大大提高了缺陷地结构低通滤波器的滤波特性。

三、成果转化预期:

这种缺陷地结构通过提高低通滤波器的高阻抗频率宽度和带外抑制强度,来改善低通滤波器的低通滤波特性。而且,发明的这种缺陷地结构,结构比较简单,便于电磁场理论分析和等效电路建模分析,更适合集成电路实际应用的优点。

 

特别声明

 

1.本公告仅对成果进行推介,接受意向方咨询与洽谈,以上介绍中的内容仅供参考。

2.贵州阳光产权交易所通过自身网站及相关媒体发布的项目信息并不构成贵州阳光产权交易所对任何项目的任何交易建议。意向方应不依赖于已披露的上述信息并自行对项目的相关情况进行必要的尽职调查和充分了解

项目联系人 赵经理  

话:15085914974